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13NM60N中文资料

  • 大小:835.95KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
  • 描述:May 2011 Doc ID 018870 Rev 1 1/14 14 STL13NM60N N-channel 600 V, 0.320 Ω, 10 A PowerFLAT? (8x8) HV MDmesh? II Power MOSFET Features ■ 100% avalanche tested ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance Application Switching applications Description This device is a N-channel Power MOSFETs made using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary transistor associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Figure 1. Internal schematic diagram Order code V DSS @ T Jmax R DS(on) max I D STL13NM60N 650 V < 0.385 Ω 10 A (1) 1. The value is rated according to R thj-case 3 3 3 ' $ 0 O W ER&,! 4?X (6 "OTTOMVIE W !-V $ ' 3 Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging STL13NM60N 13NM60N PowerFLAT? (8x8) HV Tape and reel www.st.com

13NM60N供应商

更新时间:2022-12-31 04:39:22
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